中国禁止出口限制出口技术目录（2001年） 编号：981505X

编号：981505X

技术名称：人工晶体生长与加工技术

控制要点：1.二氧化碲〔TeO2〕及钼酸铝〔A12（MoO4）3〕单晶生长工艺及基片的精加工技术（◇）

超长〔>250mm〕铌酸锂晶片的制作方法（◇）

长度>280mm，直径>40mm铌酸锂晶的生长技术

长度>250mm，铌酸锂单晶片精加工技术

长度>180mm的硅酸铋〔BSO〕、锗酸铋〔BGO〕单晶生长工艺及晶片加工技术（◇）

4.75—3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺（◇）

制造自泵浦相位共轭器〔SPPCM〕用钨青铜光析变单晶生长工艺（◇）

铌酸钾〔KNbO3〕晶体的原料处理技术和生长工艺（◇）

磷酸氧钛钾〔KTP〕晶体生长控制技术（◇）

具有下列性能的抗辐射人造水晶生长工艺（◇）

品质因数〔Q〕值≥3×106

包裹体级别不低于IECI〔国际电工技术委员会〕的A级

铝〔A1〕含量≤1ppm

腐蚀隧道密度≤10条/cm2

稀土—铁（Tb-Dy-Fe系）超磁致伸缩单晶材料的制备技术（◇）

提拉法无污染磁悬浮冷坩埚晶体生长工艺

单晶成份及结构控制技术

四硼酸锂、三硼酸锂〔LBO〕晶体的生长工艺（◇）

掺钕硼酸铝钇〔NYAB〕晶体的生长工艺（◇）

钛酸钡锶〔SBT〕晶体的生长工艺（◇）

偏硼酸钡〔BBO〕晶体的生长工艺（◇）

硼铍酸锶〔SBBO〕晶体的生长工艺（◇）